聚焦离子束显微镜FIB线路修改切线连线异常分析失效分析

聚焦离子束
型号：FEI 600 DualBeam FIB/SEM（离子束/电子束）双束机台 
可同时提供FIB聚焦离子束切割修改与SEM电子束影像观察 
微线路切割，卤素气体辅助蚀刻 
纵向切割 Cross-Section 
深层微沉积，沉积金属物为白金/钨 
VC (Voltage Contrast) 电位对比测试，判断连接线(metal, poly, contact)的open/ short 
微线路修改较高制程可达45nm 
支持12英寸wafer
FIB 主要应用范围
微线路修改（Microcircuit Modification）
可直接对金属线做切断、连接或跳线处理. 相对于再次流片验证, 先用FIB工具来验证线路设计的修改, 在时效和成本上具有非常明显的优势.
测试键生长（Test Pad/Probing Pad Building）
在复杂线路中任意位置镀出测试键, 工程师可进一步使用探针台(Probe station) 或 E-beam 直接观测IC内部信号.
纵向解剖 Cross-section
SEM扫描电镜/TEM透射电镜的样片制备.
VC电势对比测试（Voltage Contrast）
利用不同电势金属受离子束/电子束照射后二次电子产量不同致使其影像形成对比的原理，判断metal, poly, contact, via之open/short